简析黄磷半导体生产技术

　　半导体材料是信息技术中的重要材料，而半导体材料根据其化学组分的不同分为元素半导体、化合物半导体和固溶体等若干类，其中化合物半导体由于它独特的特性而得到迅速的发展。

　　化合物半导体分为有机化合物半导体和无机化合物半导体两种。由于有机化合物半导体至今尚未得到应用，故当今人们所称的化合物半导体主要指的是无机化合物半导体。

　　现在已知的化合物半导体有60()种以上，但真正获得实际应用的不过十几种。如磷化稼(GaP)、砷化稼(GaAs )、磷化锢(InP )、锑化稼(GaSb )、锑化锢( InSb )、氮化稼(GaN),碳化硅(sic)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe) ,蹄化锅( CdTe )、硫化锅(CdS)和硫化铅(PbS)等等。化合物半导体得到广泛应用的是化合物的固溶体，如稼铝砷(GaA1As)、稼砷磷(GaAsP)、蹄锅汞(H邪dTe)、锢嫁砷磷(InGaAsP)等。

　　化合物半导体具备硅(Si)所不具备或不完全具备的性能，例如，硅(Si)不能发光，迁移率不高，禁带宽度局限等，而化合物半导体则不同，它可以发出不同波长的光，有不同宽的禁带，所以微波毫米器件和交流交频器件多用化合物半导体。

　　半导体工业中用的磷化物主要有InP, GaP及磷化物与InAsP, InAs或GaA。等等及它们的固溶体分别制成太阳能电池(InP/InCdS或InGaAsP/InP)、场效应晶体管FET ( FieldEffect Transistor)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、微波IC、激光管、光探测器、超高速电路、发光二极管(GaP, GaAsP)、磁敏、光敏器件等等分别应用于微波通信、光通信、计算机、显示装置、消费类电子和传感器等。

　　目前已经掌握了磷化嫁、磷化锢的水平及直拉法掺杂砷化嫁单晶的生长技术、全液相合成多晶技术及液封直拉法、LEC (Liquid Encapsulate Czochralski)法，2一3英寸低位错GaP单晶生长技术。